内蔵SBD 搭載による車載向けSiC MOSFET の低損失と高信頼性の両立
- Delivery
- Available on this site
- Format
- Price
- Non-members (tax incl.):¥1,100 Members (tax incl.):¥880
- Publication code
- 20254146
- Paper/Info type
- Symposium Text
No.11-24
- Pages
- 69-83(Total 15 p)
- Date of publication
- Feb 2025
- Publisher
- JSAE
- Language
- Japanese
- Event
- JSAE Symposium 2024
Detailed Information
| Category(J) | PPT資料 Translation |
|---|---|
| Category(E) | PPT slides |
| Author(J) | 1) 朝羽 俊介 |
| Author(E) | 1) Shunsuke Asaba |
| Affiliation(J) | 1) 東芝デバイス&ストレージ株式会社 |
| Affiliation(E) | 1) Toshiba Electronic Devices amp; Storage Corporation |
| Abstract(J) | 電動機駆動用インバータに用いるパワー半導体デバイスの性能向上のために、SBD内蔵SiC-MOSFETのデバイス構造の改善を検討した。内蔵SBDの配置パターンの改良によって、ダイオード動作に対する信頼性を向上した。さらに、必要なSBD搭載面積が縮小したことでMOSFETの面積比率が増加し、オン抵抗の低減を同時に実現した。 Translation |
| Abstract(E) | To improve the performance of power semiconductor devices for motor drive inverters, we investigated the device structure of SiC-MOSFET with embedded SBD. The reliability of diode operation was improved by the developed layout pattern of the embedded SBD. Furthermore, the increased MOSFET area ratio by smaller SBD area consumption realized on-resistance reduction. |