内蔵SBD 搭載による車載向けSiC MOSFET の低損失と高信頼性の両立
- 提供方法
- 本サイト上にてダウンロード・閲覧可
- 形態
- 価格
- 一般価格(税込):¥1,100 会員価格(税込):¥880
- 文献番号
- 20254146
- 文献・情報種別
- シンポジウムテキスト
No.11-24
- 掲載ページ
- 69-83(Total 15 p)
- 発行年月
- 2025年 2月
- 出版社
- (公社)自動車技術会
- 言語
- 日本語
- イベント
- JSAE 2024年度シンポジウム
書誌事項
| カテゴリ | PPT資料 |
|---|---|
| カテゴリ(英) | PPT slides 翻訳 |
| 著者 | 1) 朝羽 俊介 |
| 著者(英) | 1) Shunsuke Asaba |
| 勤務先 | 1) 東芝デバイス&ストレージ株式会社 |
| 勤務先(英) | 1) Toshiba Electronic Devices amp; Storage Corporation |
| 抄録 | 電動機駆動用インバータに用いるパワー半導体デバイスの性能向上のために、SBD内蔵SiC-MOSFETのデバイス構造の改善を検討した。内蔵SBDの配置パターンの改良によって、ダイオード動作に対する信頼性を向上した。さらに、必要なSBD搭載面積が縮小したことでMOSFETの面積比率が増加し、オン抵抗の低減を同時に実現した。 |
| 抄録(英) | To improve the performance of power semiconductor devices for motor drive inverters, we investigated the device structure of SiC-MOSFET with embedded SBD. The reliability of diode operation was improved by the developed layout pattern of the embedded SBD. Furthermore, the increased MOSFET area ratio by smaller SBD area consumption realized on-resistance reduction. 翻訳 |