過渡熱抵抗解析によるSiCパワーモジュールの熱設計検証・品質検査・故障解析
Thermal Design Verification, Quality Inspection, and Failure Analysis of SiC Power Modules Using Transient Thermal Analysis
- 提供方法
- 本サイト上にてダウンロード・閲覧可
- 形態
- 価格
- 一般価格(税込):¥1,100 会員価格(税込):¥880
- 文献番号
- 20264113
- 文献・情報種別
- シンポジウムテキスト
No.18-25
- 掲載ページ
- 70-80(Total 11 p)
- 発行年月
- 2026年 2月
- 出版社
- (公社)自動車技術会
- 言語
- 日本語
- イベント
- JSAE 2025年度シンポジウム
書誌事項
| カテゴリ | PPT資料 |
|---|---|
| カテゴリ(英) | PPT slides 翻訳 |
| 著者 | 1) 加藤 史樹 |
| 著者(英) | 1) Fumiki Kato |
| 勤務先 | 1) 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 勤務先(英) | 1) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology |
| 抄録 | SiCパワー半導体はxEVへの採用が拡大しています。パワーモジュールの熱抵抗は信頼性評価・劣化診断の重要な指標の一つです。本講演では、過渡熱抵抗解析による熱設計検証・品質検査・故障解析の事例を紹介します。 |
| 抄録(英) | The adoption of SiC power semiconductors in xEVs is expanding. The thermal resistance of power modules is one of the important indicators for reliability evaluation and degradation diagnosis. In this presentation, we will introduce examples of thermal design verification, quality inspection, and failure analysis using transient thermal resistance analysis. 翻訳 |