Observation of Antiferromagnetic Tunneling Magnetoresistance Effect─Toward Development of Ultrafast,High Density, and Power-Saving Memory─
反強磁性トンネル磁気抵抗効果の観測─超高速・高密度・省電力メモリの開発に向けて─
- Delivery
- Available on this site
- Format
- Price
- Non-members (tax incl.):¥1,100 Members (tax incl.):¥880
- Publication code
- 20234772
- Paper/Info type
- Journal of Society of Automotive Engineers of Japan
Vol.77 No.12
- Pages
- 118-120(Total 3 p)
- Date of publication
- Dec 2023
- Publisher
- JSAE
- Language
- Japanese
Detailed Information
Category(J) | 超の世界 Translation |
---|---|
Category(E) | Essay |
Author(J) | 1) 田中 克大, 2) 肥後 友也, 3) 中辻 知 |
Author(E) | 1) Katsuhiro Tanaka, 2) Tomoya Higo, 3) Satoru Nakatsuji |
Affiliation(J) | 1) 東京大学大学院, 2) 東京大学大学院, 3) 東京大学大学院 |