反強磁性トンネル磁気抵抗効果の観測─超高速・高密度・省電力メモリの開発に向けて─
Observation of Antiferromagnetic Tunneling Magnetoresistance Effect─Toward Development of Ultrafast,High Density, and Power-Saving Memory─
- 提供方法
- 本サイト上にてダウンロード・閲覧可
- 形態
- 価格
- 一般価格(税込):¥1,100 会員価格(税込):¥880
- 文献番号
- 20234772
- 文献・情報種別
- 会誌「自動車技術」
Vol.77 No.12
- 掲載ページ
- 118-120(Total 3 p)
- 発行年月
- 2023年 12月
- 出版社
- (公社)自動車技術会
- 言語
- 日本語
書誌事項
カテゴリ | 超の世界 |
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カテゴリ(英) | Essay 翻訳 |
著者 | 1) 田中 克大, 2) 肥後 友也, 3) 中辻 知 |
著者(英) | 1) Katsuhiro Tanaka, 2) Tomoya Higo, 3) Satoru Nakatsuji |
勤務先 | 1) 東京大学大学院, 2) 東京大学大学院, 3) 東京大学大学院 |