SiCMOS simplified model with improved switching loss accuracy by VHDL-AMS description
VHDL-AMS記述によるスイッチング損精度を上げたSiCMOS簡易モデル
- Delivery
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- Format
- Price
- Non-members (tax incl.):¥1,100 Members (tax incl.):¥880
- Publication code
- 20214775
- Paper/Info type
- Symposium Text
No.05-21
- Pages
- 1-44(Total 44 p)
- Date of publication
- Oct 2021
- Publisher
- JSAE
- Language
- Japanese
- Event
- JSAE Symposium 2021
Detailed Information
Category(J) | PPT資料 Translation |
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Category(E) | PPT slides |
Author(J) | 1) 瀧澤 登 |
Author(E) | 1) Noboru Takizawa |
Affiliation(J) | 1) 元 ローム株式会社 |
Affiliation(E) | 1) Former ROHM Co., Ltd. |
Abstract(J) | MBDに於いてシミュレーションの高速化の為にSPICEレベルのモデルでは計算時間が非常にかかる為、簡易スイッチモデルを使用し高速化している。このスイッチ素子精度を改善する為 自己発熱よON抵抗,スイッチング特性変動に対応したモデルと水冷のための流量に対応した熱回路網モデルについて報告する。 Translation |
Abstract(E) | In MBD, in order to speed up the simulation, the calculation time is very long in the SPICE level model, so the speed is increased by using the simple switch model. In order to improve the accuracy of this switch element, we report on a model that supports self-heating, ON resistance, and fluctuations in switching characteristics, and a thermal network model that supports the flow rate for water cooling. |