VHDL-AMS記述によるスイッチング損精度を上げたSiCMOS簡易モデル
SiCMOS simplified model with improved switching loss accuracy by VHDL-AMS description
- 提供方法
- 本サイト上にてダウンロード・閲覧可
- 形態
- 価格
- 一般価格(税込):¥1,100 会員価格(税込):¥880
- 文献番号
- 20214775
- 文献・情報種別
- シンポジウムテキスト
No.05-21
- 掲載ページ
- 1-44(Total 44 p)
- 発行年月
- 2021年 10月
- 出版社
- (公社)自動車技術会
- 言語
- 日本語
- イベント
- JSAE 2021年度シンポジウム
書誌事項
カテゴリ | PPT資料 |
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カテゴリ(英) | PPT slides 翻訳 |
著者 | 1) 瀧澤 登 |
著者(英) | 1) Noboru Takizawa |
勤務先 | 1) 元 ローム株式会社 |
勤務先(英) | 1) Former ROHM Co., Ltd. |
抄録 | MBDに於いてシミュレーションの高速化の為にSPICEレベルのモデルでは計算時間が非常にかかる為、簡易スイッチモデルを使用し高速化している。このスイッチ素子精度を改善する為 自己発熱よON抵抗,スイッチング特性変動に対応したモデルと水冷のための流量に対応した熱回路網モデルについて報告する。 |
抄録(英) | In MBD, in order to speed up the simulation, the calculation time is very long in the SPICE level model, so the speed is increased by using the simple switch model. In order to improve the accuracy of this switch element, we report on a model that supports self-heating, ON resistance, and fluctuations in switching characteristics, and a thermal network model that supports the flow rate for water cooling. 翻訳 |