Novel Diode Structure for Ultra-low-loss RC-IGBT
超低損失RC-IGBT のためのダイオード構造
- Delivery
- Available on this site
- Format
- Price
- Non-members (tax incl.):¥1,100 Members (tax incl.):¥880
- Publication code
- 20234513
- Paper/Info type
- Symposium Text
No.09-23
- Pages
- 105-120(Total 16 p)
- Date of publication
- Nov 2023
- Publisher
- JSAE
- Language
- Japanese
- Event
- JSAE Symposium 2023
Detailed Information
Category(J) | PPT資料 Translation |
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Category(E) | PPT slides |
Author(J) | 1) 山下 侑佑, 2) 町田 悟 |
Author(E) | 1) Yusuke Yamashita, 2) Satoru Machida |
Affiliation(J) | 1) 株式会社豊田中央研究所, 2) 株式会社豊田中央研究所 |
Affiliation(E) | 1) Toyota Central R&D Labs. Inc., 2) Toyota Central R&D Labs. Inc. |
Abstract(J) | RC-IGBTはDiodeとIGBTを一体化し、小型高密度なパワー半導体として有用であるが、Diodeの損失低減のために、ライフタイム制御を行うと、IGBT損失が悪化する。本研究ではIGBT特性へ影響を与えることなく、Diodeの損失を低減するRC-IGBT向けDiode構造について報告する。 Translation |