超低損失RC-IGBT のためのダイオード構造
Novel Diode Structure for Ultra-low-loss RC-IGBT
- 提供方法
- 本サイト上にてダウンロード・閲覧可
- 形態
- 価格
- 一般価格(税込):¥1,100 会員価格(税込):¥880
- 文献番号
- 20234513
- 文献・情報種別
- シンポジウムテキスト
No.09-23
- 掲載ページ
- 105-120(Total 16 p)
- 発行年月
- 2023年 11月
- 出版社
- (公社)自動車技術会
- 言語
- 日本語
- イベント
- JSAE 2023年度シンポジウム
書誌事項
カテゴリ | PPT資料 |
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カテゴリ(英) | PPT slides 翻訳 |
著者 | 1) 山下 侑佑, 2) 町田 悟 |
著者(英) | 1) Yusuke Yamashita, 2) Satoru Machida |
勤務先 | 1) 株式会社豊田中央研究所, 2) 株式会社豊田中央研究所 |
勤務先(英) | 1) Toyota Central R&D Labs. Inc., 2) Toyota Central R&D Labs. Inc. |
抄録 | RC-IGBTはDiodeとIGBTを一体化し、小型高密度なパワー半導体として有用であるが、Diodeの損失低減のために、ライフタイム制御を行うと、IGBT損失が悪化する。本研究ではIGBT特性へ影響を与えることなく、Diodeの損失を低減するRC-IGBT向けDiode構造について報告する。 |