Design of Semiconductor/Insulator Interfaces in SiC Trench MOSFETs to Improve Power Efficiency of Electric/Hybrid Vehicles
- 提供方法
- 本サイト上にてダウンロード・閲覧可
- 形態
- 価格
- 一般価格(税込):¥1,100 会員価格(税込):¥880
- 文献番号
- 20214361
- 文献・情報種別
- その他の国際会議
No.H2.1
- 掲載ページ
- 1-4(Total 4 p)
- 発行年月
- 2021年 5月
- 出版社
- (公社)自動車技術会
- 言語
- 英語
- イベント
- 第5回電動車両技術国際会議 EVTeC 2021【オンライン開催】
書誌事項
カテゴリ(英) | Power Semiconductor and Packaging Technologies 翻訳 |
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著者(英) | 1) Katsuhiro Kutsuki, 2) Yukihiko Watanabe |
勤務先(英) | 1) TOYOTA CENTRAL R&D LABS., Inc., 2) TOYOTA CENTRAL R&D LABS., Inc. |
抄録(英) | This study demonstrates the factors limiting the channel mobility in SiC trench MOSFETs in order to improve the power efficiency of electric/hybrid vehicles. Previously proposed analysis methods of the channel mobility are adopted to evaluate the effects of the trench angle and surface morphology of trench sidewalls on the channel mobility. When the trench angle is close to 90°, the surface is atomically flat, or both are true, the channel mobility increases. The increase could be caused by the suppression of Coulomb scattering attributed to dangling bonds at SiC surface of trench sidewalls. 翻訳 |