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No.H2.3

カテゴリ（英）	Power Semiconductor and Packaging Technologies 翻訳
著者（英）	1) Tatsuya Ohguro, 2) Takako Motai, 3) Hitoshi Kobayashi, 4) Takuma Hara, 5) Shinichi Umekawa
勤務先（英）	1) Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation, 2) Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation, 3) Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation, 4) Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation, 5) Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
抄録（英）	In this work, we have developed vertical Si power MOSFETs with high performance and high reliability by using Cu double side plating technology. 20 μm thick Cu plating layers are formed on both sides of devices with 50 μm thick Si substrate. In this structure, even though Si substrate is thinner, Safety Operating Area (SOA) is wider and the warpage of chip is smaller thanks to front and back side thick Cu plating layers because thick Cu film has higher thermal conductivity and larger heat capacity. 翻訳

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例）X AND Y →「XかつY（を含む）」 X OR Z →「XまたはZ（を含む）」

AND検索とOR検索が混在する場合は、OR検索が優先されます。

例）X AND Y OR Z → X AND (Y OR Z)

AND検索と複数のOR検索が混在する場合も、OR検索が優先されます。

例）W AND X OR Y OR Z → W AND (X OR Y OR Z)

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