パワー半導体材料・デバイス開発の最前線
The forefront of development for power semiconductor materials and devices
- 提供方法
- 本サイト上にてダウンロード・閲覧可
- 形態
- 価格
- 一般価格(税込):¥1,100 会員価格(税込):¥880
- 文献番号
- 20214518
- 文献・情報種別
- フォーラムテキスト(オンライン)
No.21FORUM-17
- 掲載ページ
- 1-30(Total 30 p)
- 発行年月
- 2021年 7月
- 出版社
- (公社)自動車技術会
- 言語
- 日本語
- イベント
- 自動車技術会フォーラム2021
書誌事項
著者 | 1) 小出 康夫 |
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著者(英) | 1) Yasuo Koide |
勤務先 | 1) 物質・材料研究機構 |
勤務先(英) | 1) NIMS |
抄録 | 省エネルギー化のためのパワー半導体材料およびデバイス開発の現状と展望を解説する。 |
抄録(英) | The current status and future prospects of power semiconductor materials and device development for energy conservation will be explained. 翻訳 |